Зображення обкладинки

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»

The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Kulinich, О. А., Yatsunskiy, I. P., Eshtokina, T. Yu., Brusenskaya, G. I., Marchuk, I. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ
за авторством: Беспрозванных, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
за авторством: Suchikova, Y. O., та інші
Опубліковано: (2022)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)

Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
за авторством: Karpyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2023)

ОСОБЛИВОСТІ СПІКАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ МЕТОДАМИ ДТА–ТГ АНАЛІЗУ КОМПОЗИТІВ ОТРИМАНИХ В СИСТЕМАХ cBN–MeSi2–(Al), де Me – V, Cr, Mo, W
за авторством: Стратійчук, Д. А., та інші
Опубліковано: (2022)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
за авторством: Druzhinin, А. А., та інші
Опубліковано: (2008)

Дослідження взаємодії еритроцитів з пірогенними оксидами SiO2, Al2O3/SiO2 та TiO2/SiO2 шляхом вимірювання параметрів світлорозсіювання
за авторством: Gerashchenko, I. I., та інші
Опубліковано: (2010)

Физические основы проектирования зеркал оптических резонаторов полихромных лазеров
за авторством: Bondarchuk, Jа. M., та інші
Опубліковано: (2009)

Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)

Вплив вмісту металів на структурні характеристики неорганічних нанокомпозитів MxOy/SiO2 та C/MxOy/SiO2
за авторством: Bogatyrev, V. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Будова гідратного шару поверхні композитних систем SiO2/ДНК(Dox) і SiO2/ДНК(Dox)/фуллерен С60
за авторством: Turov, V. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Дифференциальный термометр с высокой разрешающей способностью
за авторством: Gotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

LaNi9Si4: CRYSTAL STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES
за авторством: Belan, Bohdana, та інші
Опубліковано: (2023)

Fundamental Physical Constants and their Stability, Transition to New Definitions of the SI Units
за авторством: Melnikov, V. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
за авторством: Garbuz, V. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Квантовохімічний розрахунок 29Si ЯМР-спектрів фулереноподібних молекул діоксиду кремнію
за авторством: Filonenko, O. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Механізм диспергування MoO3 на поверхні SiO2
за авторством: Nasiedkin, D.B., та інші
Опубліковано: (2025)

Аналіз структурно–хімічного стану дуплекс–систем силікати–силіциди лужно–земельних металів. Повідомлення 2. Дуплекс–система SiO2–MgO–CaO: Si–Mg–Ca
за авторством: Бєлов, Б. Ф., та інші
Опубліковано: (2023)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
за авторством: Koziarskyi, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2023)

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
за авторством: Kozyrev, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Стан води на межі фаз композиту «SiO2 / скловидне тіло»
за авторством: Turov, V. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Osteopontin siRNA does not confer resistance to toxic effects of parthenolide in Jurkat cells
за авторством: Mehri, S., та інші
Опубліковано: (2023)

ELECTROCHEMICAL SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF Tа2Si OBTAINED FROM CHLORIDE-FLUORIDE MELTS
за авторством: Kuleshov, Serhii, та інші
Опубліковано: (2025)

Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)