Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | Kulinich, О. А., Yatsunskiy, I. P., Eshtokina, T. Yu., Brusenskaya, G. I., Marchuk, I. A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012) -
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014) -
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010)