Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раз­де­ла «SiO2–Si»

• Дата: 2012
• Автори: Kulinich, О. А., Yatsunskiy, I. P., Eshtokina, T. Yu., Brusenskaya, G. I., Marchuk, I. A.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
• Теми: фотолюминесценция; пластическая деформация; дефекты; дислокации; напряжения
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.