Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами

A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2012
Hauptverfasser: Gnilenko, A. B., Dzenzerskii, V. A., Plaksin, S. V., Pogorelaya, L. M.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:
многопереходный солнечный элемент
вертикальный p–n-переход
кремниевая пластина
компьютерное моделирование
программный пакет Silvaco TCAD
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.27
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
Beschreibung
Zusammenfassung:A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.

Ähnliche Einträge