Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами

• Дата: 2012
• Автори: Gnilenko, A. B., Dzenzerskii, V. A., Plaksin, S. V., Pogorelaya, L. M.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
• Теми: многопереходный солнечный элемент; вертикальный p–n-переход; кремниевая пластина; компьютерное моделирование; программный пакет Silvaco TCAD
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.27
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.