Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
Powerful infrared LEDs with emission wavelength 805 ± 10, 870 ± 20 and 940 ± 10 nm developed at SPC OED "OPTEL" are presented in the article. The radiant intensity of beam diode is under 4 W/sr in the continuous mode and under 100 W/sr in the pulse mode. The radiation power of wid...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Kogan, L. M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.35 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
von: Коган, Л.М.
Veröffentlicht: (2012) -
Измеритель динамического диапазона радиочастотных усилителей
von: Drozd, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Kabatsiy, V. М.
Veröffentlicht: (2009) -
Полупроводниковый генератор импульсного действия с электронным переключением частот Ka-диапазона
von: Dvornichenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2015)