Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS

The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2012
1. Verfasser: Garkavenko, A. S.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.41
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-471
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4712025-09-24T16:59:10Z The nature of transitions and generation mechanisms in optically homogeneous CdS crystals Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS Garkavenko, A. S. laser electron pumping radiation-doping лазер электронная накачка радиационное легирование The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes. Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.41 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 41-43 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 41-43 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.41/426 Copyright (c) 2012 Гаркавенко А. С. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-09-24T16:59:10Z
collection OJS
language Ukrainian
topic лазер
электронная накачка
радиационное легирование
spellingShingle лазер
электронная накачка
радиационное легирование
Garkavenko, A. S.
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
topic_facet laser
electron pumping
radiation-doping
лазер
электронная накачка
радиационное легирование
format Article
author Garkavenko, A. S.
author_facet Garkavenko, A. S.
author_sort Garkavenko, A. S.
title Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_short Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_full Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_fullStr Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_full_unstemmed Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_sort природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов cds
title_alt The nature of transitions and generation mechanisms in optically homogeneous CdS crystals
description The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2012
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.41
work_keys_str_mv AT garkavenkoas thenatureoftransitionsandgenerationmechanismsinopticallyhomogeneouscdscrystals
AT garkavenkoas prirodaperehodovimehanizmygeneraciivlazerahnaosnoveradiacionnolegirovannyhkristallovcds
AT garkavenkoas natureoftransitionsandgenerationmechanismsinopticallyhomogeneouscdscrystals
first_indexed 2025-09-24T17:30:59Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:59Z
_version_ 1850410260436615168