Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes.
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Author: | Garkavenko, A. S. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.41 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2012) -
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011) -
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
by: Zyablyuk, K. N., et al.
Published: (2012) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
by: Garkavenko, A. S., et al.
Published: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
by: Garkavenko, A. S., et al.
Published: (2014)