Модель алмазного транзистора

Модель алмазного транзистора

In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter trans...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Altukhov, A. A., Zyabluk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:
полевой алмазный СВЧ-транзистор
модель плавного затвора
вольт-амперная характеристика
максимальная мощность транзистора
коэффициенты усиления транзистора
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
Опис
Резюме:In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter transistor element. Proof, are calculated by us main parameters model RF-transistor, which it is enough close comply with published experimental result of the measurements real RF-transistors.

Схожі ресурси