Модель алмазного транзистора

In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter trans...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2011
Main Authors:	Altukhov, A. A., Zyabluk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Subjects:	полевой алмазный СВЧ-транзистор модель плавного затвора вольт-амперная характеристика максимальная мощность транзистора коэффициенты усиления транзистора
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-480
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4802025-10-04T09:53:52Z The diamond RF-transistor model Модель алмазного транзистора Altukhov, A. A. Zyabluk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. field-effect diamond RF-transistor fluent shutter model volt-ampere characteristic maximum power of transistor gain of the transistor полевой алмазный СВЧ-транзистор модель плавного затвора вольт-амперная характеристика максимальная мощность транзистора коэффициенты усиления транзистора In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter transistor element. Proof, are calculated by us main parameters model RF-transistor, which it is enough close comply with published experimental result of the measurements real RF-transistors. Разработана модель плавного затвора, достаточно хорошо описывающая работу полевого алмазного СВЧ-транзистора. Используя данную модель можно рассчитать его характеристики по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным (водородом или бором) слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора. Рассчитанные основные параметры модельного СВЧ-транзистора достаточно хорошо согласуются с опубликованными экспериментальными результатами измерений реальных СВЧ-транзисторов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-12-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 13-19 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 13-19 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13/433 Copyright (c) 2011 Altukhov A. A., Zyabluk K. N., Mityagin A. Yu., Talipov N. H., Chucheva G. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-10-04T09:53:52Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	полевой алмазный СВЧ-транзистор модель плавного затвора вольт-амперная характеристика максимальная мощность транзистора коэффициенты усиления транзистора
spellingShingle	полевой алмазный СВЧ-транзистор модель плавного затвора вольт-амперная характеристика максимальная мощность транзистора коэффициенты усиления транзистора Altukhov, A. A. Zyabluk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. Модель алмазного транзистора
topic_facet	field-effect diamond RF-transistor fluent shutter model volt-ampere characteristic maximum power of transistor gain of the transistor полевой алмазный СВЧ-транзистор модель плавного затвора вольт-амперная характеристика максимальная мощность транзистора коэффициенты усиления транзистора
format	Article
author	Altukhov, A. A. Zyabluk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V.
author_facet	Altukhov, A. A. Zyabluk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V.
author_sort	Altukhov, A. A.
title	Модель алмазного транзистора
title_short	Модель алмазного транзистора
title_full	Модель алмазного транзистора
title_fullStr	Модель алмазного транзистора
title_full_unstemmed	Модель алмазного транзистора
title_sort	модель алмазного транзистора
title_alt	The diamond RF-transistor model
description	In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter transistor element. Proof, are calculated by us main parameters model RF-transistor, which it is enough close comply with published experimental result of the measurements real RF-transistors.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2011
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13
work_keys_str_mv	AT altukhovaa thediamondrftransistormodel AT zyablukkn thediamondrftransistormodel AT mityaginayu thediamondrftransistormodel AT talipovnh thediamondrftransistormodel AT chuchevagv thediamondrftransistormodel AT altukhovaa modelʹalmaznogotranzistora AT zyablukkn modelʹalmaznogotranzistora AT mityaginayu modelʹalmaznogotranzistora AT talipovnh modelʹalmaznogotranzistora AT chuchevagv modelʹalmaznogotranzistora AT altukhovaa diamondrftransistormodel AT zyablukkn diamondrftransistormodel AT mityaginayu diamondrftransistormodel AT talipovnh diamondrftransistormodel AT chuchevagv diamondrftransistormodel
first_indexed	2025-10-01T01:50:30Z
last_indexed	2025-10-05T01:25:50Z
_version_	1850410261495676928

Модель алмазного транзистора

Institution

Similar Items