Зображення обкладинки

Модель алмазного транзистора

In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter trans...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Altukhov, A. A., Zyabluk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:	полевой алмазный СВЧ-транзистор модель плавного затвора вольт-амперная характеристика максимальная мощность транзистора коэффициенты усиления транзистора
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ В БАГАТОКОМІРКОВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЗВАРЮВАННЯ
за авторством: Бондаренко, О.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2018)

Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
за авторством: Yefymovych, A. P., та інші
Опубліковано: (2014)

Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)

НЕМОНОТОННОСТЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДУГОВОГО РАЗРЯДА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ЭФФЕКТАМИ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
за авторством: Жовтянский, В.А., та інші
Опубліковано: (2019)

Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
за авторством: Filynyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2006)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Filinyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2005)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Leonov, N. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Дослiдження характеристик кремнiєвих фотоелектричних перетворювачiв сонячних батарей при перегрiві
за авторством: Ivanchenko, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
за авторством: Altuchov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Зміни характеристик кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячних батарей після струмових перевантажень
за авторством: Ivanchenko, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)

Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
за авторством: Yemtsev, P. A.
Опубліковано: (2004)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
за авторством: Ефимович, А.П., та інші
Опубліковано: (2014)

Методы формирования алгоритмов для расчета перестраиваемых коаксиальных полосовых фильтров СВЧ
за авторством: Parfilov, A. A.
Опубліковано: (2012)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
за авторством: Lavrich, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование анизотропных оптикотермоэлементов в случае различных оптических и тепловых режимов
за авторством: Ascheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2005)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)

КОМБИНИРОВАННЫЙ РАСЧЕТ УСИЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ОКРЕСТНОСТИ ВЕРШИН ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ СТЕРЖНЕЙ
за авторством: Резинкина, М.М., та інші
Опубліковано: (2015)

АНАЛИЗ ТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛЯ РОТОРА ТУРБОГЕНЕРАТОРА МОЩНОСТЬЮ 300 МВт ПРИ АСИММЕТРИИ ОХЛАЖДЕНИЯ ПАЗОВОЙ ЗОНЫ
за авторством: Кучинский , К.А.
Опубліковано: (2013)

Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
за авторством: Kshevetskyi, Oleg, та інші
Опубліковано: (2025)

Вихретоковый анизотропный термоэлектрический первичный преобразователь лучистого потока
за авторством: Ascheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)