Модель алмазного транзистора

• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Altukhov, A. A., Zyabluk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
• Schlagworte: полевой алмазный СВЧ-транзистор; модель плавного затвора; вольт-амперная характеристика; максимальная мощность транзистора; коэффициенты усиления транзистора
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter trans...