Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
The polishing etchants were developed and recommendations were given as to their use for processing of semiconductor materials which are used for the manufacture of work items of thermoelectric devices.
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Pavlovich, I. I., Tomashik, Z. F., Tomashik, V. N., Stratiichuk, I. B. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.27 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013) -
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)