Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
The polishing etchants were developed and recommendations were given as to their use for processing of semiconductor materials which are used for the manufacture of work items of thermoelectric devices.
Saved in:
| Date: | 2011 |
|---|---|
| Main Authors: | Pavlovich, I. I., Tomashik, Z. F., Tomashik, V. N., Stratiichuk, I. B. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.27 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
by: Павлович, И.И., et al.
Published: (2011) -
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013) -
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013) -
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008) -
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
by: Tomashik, Z.F., et al.
Published: (1999)