Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating tem...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-487 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4872025-09-30T17:31:25Z Research of the tolerable pulsed power of silicon p+–p–n+-structure Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulhaev, O. A. Karimov, A. A. Asanova, G. O. pulse power junction temperature thermal resistance base thickness импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p+–p–n+-structure by 30%. Исследования показали, что при уменьшении толщины базовой области пропорционально уменьшается тепловое сопротивление структуры, а зависимость перегрева p–n-перехода от импульсной мощности приближается к экспоненциальной, что увеличивает выдерживаемую мощность. Так, например, для заданной температуры перегрева уменьшение толщины базовой области от 500 до 250 мкм может значительно (до 30%) повысить допустимую мощность диодной структуры. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-12-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 43-45 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 43-45 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43/440 Copyright (c) 2011 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulhaev O. A., Karimov A. A., Asanova G. O. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-09-30T17:31:25Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы |
| spellingShingle |
импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulhaev, O. A. Karimov, A. A. Asanova, G. O. Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| topic_facet |
pulse power junction temperature thermal resistance base thickness импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы |
| format |
Article |
| author |
Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulhaev, O. A. Karimov, A. A. Asanova, G. O. |
| author_facet |
Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulhaev, O. A. Karimov, A. A. Asanova, G. O. |
| author_sort |
Karimov, A. V. |
| title |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_short |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_full |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_fullStr |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_full_unstemmed |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_sort |
исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_alt |
Research of the tolerable pulsed power of silicon p+–p–n+-structure |
| description |
The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p+–p–n+-structure by 30%. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2011 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43 |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT yodgorovadm researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT abdulhaevoa researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT karimovaa researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT asanovago researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT karimovav issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT yodgorovadm issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT abdulhaevoa issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT karimovaa issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT asanovago issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury |
| first_indexed |
2025-10-01T01:50:31Z |
| last_indexed |
2025-10-01T01:50:31Z |
| _version_ |
1850410262670082048 |