Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
The possibility of using of silicon nanowires ensembles as an anti-reflective surface for silicon photovoltaic cells is shown. The technological process for nanoscale anti-reflective surface is developed, the structures of silicon photovoltaic cell are examined and their characteristics are studied.
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | Druzhinin, A. A., Ostrovskii, I. P., Khoverko, Yu. N., Nichkalo, S. I., Berezhanskii, Ye. I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.11 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011) -
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011) -
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015) -
СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СИЛОВЫХ И СКОРОСТНЫХ ПОКАЗАТЕЛЕЙ ЛИНЕЙНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО И ИНДУКЦИОННОГО ТИПОВ
за авторством: Болюх , В.Ф., та інші
Опубліковано: (2019)