Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза

A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundaries of thermal stability of hydrogenated diamond su...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Altukhov, A. A., Afanas’ev, M. S., Zyabliuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:	алмаз гидрогенизация СВЧ-транзисторы барьеры Шоттки
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.14
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-493
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4932025-10-31T17:35:28Z Formation of delta-doped p-layer of hydrogen in natural and CVD-diamond crystals Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза Altukhov, A. A. Afanas’ev, M. S. Zyabliuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. diamond hydrogenation microwave transistors Schottky barriers алмаз гидрогенизация СВЧ-транзисторы барьеры Шоттки A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundaries of thermal stability of hydrogenated diamond surface are determined. It is shown that aluminum deposited on hydrogenated during the hydrogen heat treatment diamond surface can serve as a Schottky gate in microwave field-effect transistor made with MESFET technology. Предложен метод термообработки в водороде природных и выращенных методом CVD кристаллов алмаза, который может служить альтернативой общепринятому методу формирования H-слоя в СВЧ-плазме водорода как более простой и воспроизводимый. Установлена граница термической стабильности гидрированной алмазной поверхности. Показано, что алюминий, напыленный на гидрированную при термообработках в водороде алмазную поверхность, может служить в качестве затвора Шоттки в полевых СВЧ-транзисторах, изготовленных по технологии MESFET. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-10-17 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.14 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 14-16 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 14-16 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.14/446 Copyright (c) 2011 Altukhov A. A., Afanas’ev M. S., Zyabliuk K. N., Mityagin A. Yu., Talipov N. H., Chucheva G. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-10-31T17:35:28Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	алмаз гидрогенизация СВЧ-транзисторы барьеры Шоттки
spellingShingle	алмаз гидрогенизация СВЧ-транзисторы барьеры Шоттки Altukhov, A. A. Afanas’ev, M. S. Zyabliuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
topic_facet	diamond hydrogenation microwave transistors Schottky barriers алмаз гидрогенизация СВЧ-транзисторы барьеры Шоттки
format	Article
author	Altukhov, A. A. Afanas’ev, M. S. Zyabliuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V.
author_facet	Altukhov, A. A. Afanas’ev, M. S. Zyabliuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V.
author_sort	Altukhov, A. A.
title	Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_short	Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_full	Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_fullStr	Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_full_unstemmed	Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_sort	формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и cvd-кристаллах алмаза
title_alt	Formation of delta-doped p-layer of hydrogen in natural and CVD-diamond crystals
description	A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundaries of thermal stability of hydrogenated diamond surface are determined. It is shown that aluminum deposited on hydrogenated during the hydrogen heat treatment diamond surface can serve as a Schottky gate in microwave field-effect transistor made with MESFET technology.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2011
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.14
work_keys_str_mv	AT altukhovaa formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals AT afanasevms formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals AT zyabliukkn formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals AT mityaginayu formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals AT talipovnh formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals AT chuchevagv formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals AT altukhovaa formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza AT afanasevms formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza AT zyabliukkn formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza AT mityaginayu formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza AT talipovnh formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza AT chuchevagv formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza
first_indexed	2025-10-16T01:41:35Z
last_indexed	2025-11-01T02:31:36Z
_version_	1847553474123792384

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза

Репозитарії

Схожі ресурси