Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-496 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4962025-10-31T17:35:28Z Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs Garkavenko, A. S. radiation spectrum laser electron-beam pumping radiation modification gallium arsenide спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies. Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе модифицированных с помощью радиационных технологий кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-10-17 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-30 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27/449 Copyright (c) 2011 Garkavenko A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-10-31T17:35:28Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия |
| spellingShingle |
спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия Garkavenko, A. S. Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| topic_facet |
radiation spectrum laser electron-beam pumping radiation modification gallium arsenide спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия |
| format |
Article |
| author |
Garkavenko, A. S. |
| author_facet |
Garkavenko, A. S. |
| author_sort |
Garkavenko, A. S. |
| title |
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_short |
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_full |
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_fullStr |
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_full_unstemmed |
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_sort |
тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов gaas |
| title_alt |
Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs |
| description |
The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2011 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 |
| work_keys_str_mv |
AT garkavenkoas finestructureoflaserspectrumatelectronbeampumpingbasedonradiationmodifiedopticallyhomogeneouscrystalsofundopedgaas AT garkavenkoas tonkaâstrukturaspektrovlazernogoizlučeniâpriélektronnojnakačkenaosnoveradiacionnomodificirovannyhoptičeskiodnorodnyhnelegirovannyhkristallovgaas |
| first_indexed |
2025-10-16T01:41:35Z |
| last_indexed |
2025-11-01T02:31:36Z |
| _version_ |
1850410264386600960 |