Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543874747465728 |
|---|---|
| author | Garkavenko, A. S. |
| author_facet | Garkavenko, A. S. |
| author_sort | Garkavenko, A. S. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-10-31T17:35:28Z |
| description | The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies. |
| first_indexed | 2025-10-16T01:41:35Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-496 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-01T02:31:36Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4962025-10-31T17:35:28Z Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs Garkavenko, A. S. radiation spectrum laser electron-beam pumping radiation modification gallium arsenide спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies. Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе модифицированных с помощью радиационных технологий кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-10-17 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-30 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27/449 Copyright (c) 2011 Garkavenko A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия Garkavenko, A. S. Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_alt | Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs |
| title_full | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_fullStr | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_full_unstemmed | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_short | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_sort | тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов gaas |
| topic | спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия |
| topic_facet | radiation spectrum laser electron-beam pumping radiation modification gallium arsenide спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 |
| work_keys_str_mv | AT garkavenkoas finestructureoflaserspectrumatelectronbeampumpingbasedonradiationmodifiedopticallyhomogeneouscrystalsofundopedgaas AT garkavenkoas tonkaâstrukturaspektrovlazernogoizlučeniâpriélektronnojnakačkenaosnoveradiacionnomodificirovannyhoptičeskiodnorodnyhnelegirovannyhkristallovgaas |