Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
1. Verfasser:	Garkavenko, A. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:	спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-496
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4962025-10-31T17:35:28Z Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs Garkavenko, A. S. radiation spectrum laser electron-beam pumping radiation modification gallium arsenide спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies. Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе модифицированных с помощью радиационных технологий кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-10-17 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-30 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27/449 Copyright (c) 2011 Garkavenko A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-10-31T17:35:28Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия
spellingShingle	спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия Garkavenko, A. S. Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
topic_facet	radiation spectrum laser electron-beam pumping radiation modification gallium arsenide спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия
format	Article
author	Garkavenko, A. S.
author_facet	Garkavenko, A. S.
author_sort	Garkavenko, A. S.
title	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_short	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_full	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_fullStr	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_full_unstemmed	Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_sort	тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов gaas
title_alt	Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs
description	The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2011
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27
work_keys_str_mv	AT garkavenkoas finestructureoflaserspectrumatelectronbeampumpingbasedonradiationmodifiedopticallyhomogeneouscrystalsofundopedgaas AT garkavenkoas tonkaâstrukturaspektrovlazernogoizlučeniâpriélektronnojnakačkenaosnoveradiacionnomodificirovannyhoptičeskiodnorodnyhnelegirovannyhkristallovgaas
first_indexed	2025-10-16T01:41:35Z
last_indexed	2025-11-01T02:31:36Z
_version_	1850410264386600960

Institution

Ähnliche Einträge