Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

• Datum: 2011
• 1. Verfasser: Garkavenko, A. S.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
• Schlagworte: спектр излучения; лазер; электронная накачка; радиационная модификация; арсенид галлия
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.