Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt are presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiatio...
Saved in:
| Date: | 2011 |
|---|---|
| Main Authors: | Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.35 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2015)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2015)
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2009)
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2009)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
by: Gorokh, G. G., et al.
Published: (2015)
by: Gorokh, G. G., et al.
Published: (2015)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2003)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2003)
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
by: Омельчук, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.А., et al.
Published: (2008)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
GaSb whiskers in sensor electronics
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2016)
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2016)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2017)
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2017)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2017)
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2017)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
by: Struhljak, N. Ja., et al.
Published: (2006)
by: Struhljak, N. Ja., et al.
Published: (2006)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2019)
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2018)
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2018)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
Berry phase in strained InSb whiskers
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2018)
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2018)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2019)
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2019)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
by: N. Liakh-Kaguy, et al.
Published: (2019)
by: N. Liakh-Kaguy, et al.
Published: (2019)
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2001)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
by: G. V. Beketov, et al.
Published: (2017)
by: G. V. Beketov, et al.
Published: (2017)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2017)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
by: Beketov, G.V., et al.
Published: (2017)
by: Beketov, G.V., et al.
Published: (2017)
Laser – induced donor centers in p-InSb
by: Fedorenko, L., et al.
Published: (2000)
by: Fedorenko, L., et al.
Published: (2000)
Обернення хвильового фронту в InSb(Cu)
by: Linnik, L.F., et al.
Published: (2022)
by: Linnik, L.F., et al.
Published: (2022)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2008)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2008)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
by: Левченко, И.В., et al.
Published: (2017)
by: Левченко, И.В., et al.
Published: (2017)
Similar Items
-
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011) -
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008) -
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2015) -
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2009) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)