Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt are presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiatio...
Saved in:
| Date: | 2011 |
|---|---|
| Main Authors: | Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.35 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011) -
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008) -
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2015) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008) -
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2009)