Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystalline p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the l...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.39 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543875505586176 |
|---|---|
| author | Smyntyna, V. A. Kulinich, О. А. Yatsunskii, I. R. Sviridova, O. V. Marchuk, I. A. |
| author_facet | Smyntyna, V. A. Kulinich, О. А. Yatsunskii, I. R. Sviridova, O. V. Marchuk, I. A. |
| author_sort | Smyntyna, V. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-10-31T17:35:28Z |
| description | Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystalline p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the layer of polycrystalline p-Si current transport mechanism changes from a double injection into the drift-diffusion. This change is due to an increase in the drift current component in the space charge zone of "metal — p-Si" contact, which arises as a result of increased surface density of scattering barriers, which are localized at the boundaries of neighboring silicon polycrystals. |
| first_indexed | 2025-10-16T01:41:36Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-499 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-01T02:31:37Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4992025-10-31T17:35:28Z Influence of polycrystalline silicon layer on flow through «metal — p-Si» contact Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» Smyntyna, V. A. Kulinich, О. А. Yatsunskii, I. R. Sviridova, O. V. Marchuk, I. A. polycrystalline silicon current transport metal — p-Si contact поликристаллический кремний токоперенос контакт «металл — p-кремний» Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystalline p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the layer of polycrystalline p-Si current transport mechanism changes from a double injection into the drift-diffusion. This change is due to an increase in the drift current component in the space charge zone of "metal — p-Si" contact, which arises as a result of increased surface density of scattering barriers, which are localized at the boundaries of neighboring silicon polycrystals. На основании результатов исследования процессов токопереноса в контактах «металл —p-кремний» с различной толщиной слоя поликристаллического p-кремния описаны механизмы токопереноса через такие структуры. Установлено, что при увеличении толщины слоя поликристаллического p-кремния механизм токопереноса изменяется от двойного инжекционного к дрейфово-диффузионному. Такое изменение связано с увеличением дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта «металл — p-кремний», возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих барьеров, локализованных на границах соседних поликристаллов кремния. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-10-17 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.39 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 39-41 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-41 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.39/452 Copyright (c) 2011 Smyntyna V. A., Kulinich O. A., Yatsunskii I. R., Sviridova O. V., Marchuk I. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | поликристаллический кремний токоперенос контакт «металл — p-кремний» Smyntyna, V. A. Kulinich, О. А. Yatsunskii, I. R. Sviridova, O. V. Marchuk, I. A. Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_alt | Influence of polycrystalline silicon layer on flow through «metal — p-Si» contact |
| title_full | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_fullStr | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_full_unstemmed | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_short | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_sort | влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| topic | поликристаллический кремний токоперенос контакт «металл — p-кремний» |
| topic_facet | polycrystalline silicon current transport metal — p-Si contact поликристаллический кремний токоперенос контакт «металл — p-кремний» |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.39 |
| work_keys_str_mv | AT smyntynava influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT kulinichoa influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT yatsunskiiir influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT sviridovaov influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT marchukia influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT smyntynava vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnij AT kulinichoa vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnij AT yatsunskiiir vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnij AT sviridovaov vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnij AT marchukia vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnij |