Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystalline p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the l...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Smyntyna, V. A., Kulinich, О. А., Yatsunskii, I. R., Sviridova, O. V., Marchuk, I. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.39 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний"
von: Belousov, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Belousov, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Krapivko, H. I.
Veröffentlicht: (2005)
von: Krapivko, H. I.
Veröffentlicht: (2005)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
von: Ninidze, G. K., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ninidze, G. K., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Dobrovolsky, Yu. G.
Veröffentlicht: (2006)
von: Dobrovolsky, Yu. G.
Veröffentlicht: (2006)
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Обратимые эффекты нестабильности в туннельных контактах манганит–металл
von: Дьяченко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Дьяченко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Перспективы развития тонкопленочных микросборок
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
Свойства алмазного поликристаллического композиционного материала, полученного в системе алмаз–графен–кремний
von: Шульженко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Шульженко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Про один підхід, пов'язаний з дослідженням напружено-деформованого стану кусково-однорідної ізотропної пластини з тріщиною за згину з урахуванням ширини області контакту її берегів
von: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Датчик углекислого газа на основе пленки поликристаллического кремния
von: Агаев, Ф.Г.
Veröffentlicht: (2001)
von: Агаев, Ф.Г.
Veröffentlicht: (2001)
Ähnliche Einträge
-
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)