Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку

The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the depo...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2011
Hauptverfasser: Rubtsevich, I. I., Solovyov, Ya. A., Vysotskiy, V. B., Dudkin, A. I., Kovalchuk, N. S.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:
микроэлектромеханические системы
внутренние механические напряжения
диэлектрические пленки
нитрид кремния
оксид кремния
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.4.29
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-507
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5072025-11-11T15:25:01Z Investigation of properties of nitride and silicon oxide films grown by plasma-chemical deposition on a silicon substrate Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку Rubtsevich, I. I. Solovyov, Ya. A. Vysotskiy, V. B. Dudkin, A. I. Kovalchuk, N. S. microelectromechanical systems internal mechanical stresses dielectric film silicon nitride silicon oxide микроэлектромеханические системы внутренние механические напряжения диэлектрические пленки нитрид кремния оксид кремния The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses. Проведены исследования зависимости механических напряжений от режимов осаждения пле­нок нитрида и оксида кремния, полученных методом стимулированного плазмой химического оса­ж­де­ния слоев из газовой фазы (PECVD). Установлена связь между ключевыми па­ра­ме­т­ра­ми оса­ж­де­ния, такими как рабочее давление в камере, расход рабочих газов, скорость оса­ж­де­ния и уровень внутренних механических напряжений. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-08-24 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.4.29 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-32 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-32 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.4.29/459 Copyright (c) 2011 Rubtsevich I. I., Solovyov Ya. A., Vysotskiy V. B., Dudkin A. I., Kovalchuk N. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-11T15:25:01Z
collection OJS
language Ukrainian
topic микроэлектромеханические системы
внутренние механические напряжения
диэлектрические пленки
нитрид кремния
оксид кремния
spellingShingle микроэлектромеханические системы
внутренние механические напряжения
диэлектрические пленки
нитрид кремния
оксид кремния
Rubtsevich, I. I.
Solovyov, Ya. A.
Vysotskiy, V. B.
Dudkin, A. I.
Kovalchuk, N. S.
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку
topic_facet microelectromechanical systems
internal mechanical stresses
dielectric film
silicon nitride
silicon oxide
микроэлектромеханические системы
внутренние механические напряжения
диэлектрические пленки
нитрид кремния
оксид кремния
format Article
author Rubtsevich, I. I.
Solovyov, Ya. A.
Vysotskiy, V. B.
Dudkin, A. I.
Kovalchuk, N. S.
author_facet Rubtsevich, I. I.
Solovyov, Ya. A.
Vysotskiy, V. B.
Dudkin, A. I.
Kovalchuk, N. S.
author_sort Rubtsevich, I. I.
title Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку
title_short Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку
title_full Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку
title_fullStr Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку
title_full_unstemmed Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку
title_sort исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку
title_alt Investigation of properties of nitride and silicon oxide films grown by plasma-chemical deposition on a silicon substrate
description The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2011
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.4.29
work_keys_str_mv AT rubtsevichii investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate
AT solovyovyaa investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate
AT vysotskiyvb investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate
AT dudkinai investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate
AT kovalchukns investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate
AT rubtsevichii issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT solovyovyaa issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT vysotskiyvb issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT dudkinai issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT kovalchukns issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
first_indexed 2025-11-01T02:31:37Z
last_indexed 2025-11-12T02:42:22Z
_version_ 1850410265866141696

Ähnliche Einträge