Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the depo...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Rubtsevich, I. I., Solovyov, Ya. A., Vysotskiy, V. B., Dudkin, A. I., Kovalchuk, N. S. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.4.29 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Rubcevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Rubcevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
von: Najafov, B. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Najafov, B. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Применение высокотеплопроводной керамики из нитрида алюминия в вакуумных электронных приборах СВЧ
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2013)
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2013)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
НЕВУЗЛОВІ ПАРАМЕТРИ І АДЕКВАТНІ МОДЕЛІ СЕРЕНДИПОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Lopin, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Lopin, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с кристаллическими ферротороидальными мультиферроиками
von: Samoylovich, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Samoylovich, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние мощности примесных барьеров на пластическую деформацию бинарных сплавов свинца в нормальном и сверхпроводящем состояниях
von: Солдатов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Солдатов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Влияние ориентационного упорядочения молекул на подвижность дислокаций в фуллерите C₆₀
von: Нацик, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Нацик, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ультразвуковая очистка оптико-механических систем
von: Tomal, V. S.
Veröffentlicht: (2007)
von: Tomal, V. S.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Вiхи iсторичного шляху
von: Онищенко, О.С.
Veröffentlicht: (2009)
von: Онищенко, О.С.
Veröffentlicht: (2009)
УСЛОВИЯ ВОЗНИКНОВЕНИЯ И РОСТА ТРЕЩИН В РОТОРЕ ТУРБОГЕНЕРАТОРА ВСЛЕДСТВИЕ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ В АНОРМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ
von: Tитко , A.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Tитко , A.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат
von: Sakhno, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Sakhno, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Система фотометрического контроля скорости травления тонких диэлектрических пленок
von: Semyonova, S. E., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Semyonova, S. E., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Щодо визначення розміру мінімальної заробітної плати
von: Гаєвая, О.В.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гаєвая, О.В.
Veröffentlicht: (2011)
Локальные времена однородных изотропных случайных полей типа хи-квадрат
von: Сахно, Л.М.
Veröffentlicht: (1990)
von: Сахно, Л.М.
Veröffentlicht: (1990)
Анализ процесса формообразования валика при наплавке на узкую подложку
von: Ющенко, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ющенко, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптимізація системи зaхиcту інформації корпоративної мережі
von: Корнієнко, Богдан Ярославович, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Корнієнко, Богдан Ярославович, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Оптимізація системи зaхиcту інформації корпоративної мережі
von: Корнієнко, Б.Я., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Корнієнко, Б.Я., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Особенности малоамперной аргонодуговой и микроплазменной порошковой наплавки на узкую подложку
von: Яровицын, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Яровицын, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Поляронное состояние поверхностных электронов над гелием, покрывающим cтруктурированную подложку
von: Смородин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Смородин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)
Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)