Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

A new approach to the creation of a long-term random-access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determin...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2011
Hauptverfasser: Gulyaev, Yu. V., Zhdan, A. G., Chucheva, G. V.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:
Si-МОП-транзисторы
электронно-ионное взаимодействие
энергонезависимая память
нейтральные ассоциаты (ион электрон)
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.03
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-512
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5122025-11-11T15:25:19Z The new approach to the creation of the nonvolatile memory based on Si-MOS-transistors Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов Gulyaev, Yu. V. Zhdan, A. G. Chucheva, G. V. Si-MOSFETs electron-ion interaction nonvolatile memory neutral associates (ion electron) Si-МОП-транзисторы электронно-ионное взаимодействие энергонезависимая память нейтральные ассоциаты (ион электрон) A new approach to the creation of a long-term random-access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determined by the size of the transistor and makes some milliseconds. Obtained results allow to suggest, that compared with the traditional flash memory, such storage device will be more reliable and durable. На основе эффекта электронно-ионного взаимодействия предложен новый подход к созданию на Si-МОП-транзисторах долговременной перестраиваемой памяти с произвольным до­сту­пом. Различие в уровнях сигналов «ноль» и «единица» зависит от режима считывания и мо­жет варьироваться в широких пределах. Значения времени записи и стирания определяются размерами транзистора и составляют миллисекунды. Полученные результаты дают ос­но­ва­ния полагать, что по сравнению с традиционной Flash-памятью такое запоминающее ус­трой­ство будет более надежным и долговечным. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-06-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.03 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-5 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-5 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.03/464 Copyright (c) 2011 Gulyaev Yu. V., Zhdan A. G., Chucheva G. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-11T15:25:19Z
collection OJS
language Ukrainian
topic Si-МОП-транзисторы
электронно-ионное взаимодействие
энергонезависимая память
нейтральные ассоциаты (ион электрон)
spellingShingle Si-МОП-транзисторы
электронно-ионное взаимодействие
энергонезависимая память
нейтральные ассоциаты (ион электрон)
Gulyaev, Yu. V.
Zhdan, A. G.
Chucheva, G. V.
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
topic_facet Si-MOSFETs
electron-ion interaction
nonvolatile memory
neutral associates (ion electron)
Si-МОП-транзисторы
электронно-ионное взаимодействие
энергонезависимая память
нейтральные ассоциаты (ион электрон)
format Article
author Gulyaev, Yu. V.
Zhdan, A. G.
Chucheva, G. V.
author_facet Gulyaev, Yu. V.
Zhdan, A. G.
Chucheva, G. V.
author_sort Gulyaev, Yu. V.
title Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
title_short Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
title_full Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
title_fullStr Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
title_full_unstemmed Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
title_sort новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе si-моп-транзисторов
title_alt The new approach to the creation of the nonvolatile memory based on Si-MOS-transistors
description A new approach to the creation of a long-term random-access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determined by the size of the transistor and makes some milliseconds. Obtained results allow to suggest, that compared with the traditional flash memory, such storage device will be more reliable and durable.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2011
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.03
work_keys_str_mv AT gulyaevyuv thenewapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors
AT zhdanag thenewapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors
AT chuchevagv thenewapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors
AT gulyaevyuv novyjpodhodksozdaniûustrojstvsénergonezavisimojpamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov
AT zhdanag novyjpodhodksozdaniûustrojstvsénergonezavisimojpamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov
AT chuchevagv novyjpodhodksozdaniûustrojstvsénergonezavisimojpamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov
AT gulyaevyuv newapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors
AT zhdanag newapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors
AT chuchevagv newapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors
first_indexed 2025-11-06T02:51:36Z
last_indexed 2025-11-12T02:42:23Z
_version_ 1850410267005943808

Ähnliche Einträge