Зображення обкладинки

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

A new approach to the creation of a long-term random-access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determin...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Gulyaev, Yu. V., Zhdan, A. G., Chucheva, G. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:	Si-МОП-транзисторы электронно-ионное взаимодействие энергонезависимая память нейтральные ассоциаты (ион электрон)
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.03
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Гуляев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Параллельный алгоритм моделирования цифровых устройств с неисправностями для многоядерных систем с общей памятью
за авторством: Иванов, Д.Е.
Опубліковано: (2011)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Основні етапи історичного розвитку МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2010)

Правотворча функція Генеральної конференції МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2012)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

К созданию геохронометрической модели эонотемы
за авторством: Негруца, В.З.
Опубліковано: (2009)

Физические имитаторы мощных транзисторов
за авторством: Стевич, З.
Опубліковано: (2000)

К созданию стратегии устойчивого развития Крыма
за авторством: Ивченко, В.А.
Опубліковано: (2008)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Lopin, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Структурный подход к созданию износостойких композиционных материалов
за авторством: Суховая, Е.В.
Опубліковано: (2013)

Некоторые подходы по созданию электронной библиотеки ВУЗа
за авторством: Петриков, В.П.
Опубліковано: (2012)

Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Разрешимость линейных уравнений Максвелла с памятью
за авторством: Курбанов, И.
Опубліковано: (1991)

Гидродинамическая неустойчивость эластичной жидкости с памятью
за авторством: Авраменко, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью
за авторством: Sorokin, V. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)

ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ MnO-SiO2 МЕТОДОМ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНО-СКАНУЮЧОЇ КАЛОРИМЕТРІЇ (ДСК)
за авторством: Proidak , Yu., та інші
Опубліковано: (2022)

АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)

Метод параллельной генерации тестов на переключательном уровне для МОП-схем
за авторством: Андрюхин, А.И.
Опубліковано: (2011)

Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
за авторством: Гаджиев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2001)

Измерение производительности параллельных компьютеров с распределенной памятью
за авторством: Ющенко, Р.А.
Опубліковано: (2009)

Применение сплавов с памятью формы в медицине
за авторством: Маринский, Г.С., та інші
Опубліковано: (2012)

Подходы к созданию стандартных образцов для теплового неразрушающего контроля
за авторством: Стороженко, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Методические рекомендации по созданию и ведению паспортизации субъекта природопользования
за авторством: Садченко, Е.В.
Опубліковано: (2013)

Подходы к созданию криозащитных сред при криоконсервировании спермы птиц
за авторством: Линник, Т.П., та інші
Опубліковано: (2010)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)

Способи та методи зміни морфології залізовмісних фаз у силумінах: Processy litʹâ, 2020, Tom 139, №1, p.30-41
за авторством: Фон Прусс, М. А.
Опубліковано: (2020)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Устойчивость цилиндрической оболочки из сплава с памятью формы
за авторством: Сильченко, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Павлюченко, А.С., та інші
Опубліковано: (2010)