Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС

The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technological processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values o...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2011
Main Authors: Gorban, A. N., Kravchina, V. V.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Subjects:
комплементарные транзисторы
диэлектрическая изоляция
vтехнологические процессы
радиационно стойкие ИС
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.23
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-520
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5202025-11-11T15:25:19Z Development of a construction and manufacturing techniques of complementary transistors for the radiation tolerant integrated circuits Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС Gorban, A. N. Kravchina, V. V. complementary transistors dielectric insulation manufacturing processes radiation-resistant ICs комплементарные транзисторы диэлектрическая изоляция vтехнологические процессы радиационно стойкие ИС The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technological processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed. Разработана конструкция вертикальных комплементарных транзисторов с полной ди­э­лек­три­чес­кой изоляцией, разработаны новые технологические процессы создания на их основе ра­диа­ци­он­но стойких ИС с параметрами, которые обеспечивают низкие значения тока утечки на­ря­ду со значительными величинами прямого тока и пробивного напряжения при частоте об­ме­на сигналов информации на уровне 500 кГц. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-06-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.23 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 23-26 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 23-26 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.23/470 Copyright (c) 2011 Gorban A. N., Kravchina V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-11T15:25:19Z
collection OJS
language Ukrainian
topic комплементарные транзисторы
диэлектрическая изоляция
vтехнологические процессы
радиационно стойкие ИС
spellingShingle комплементарные транзисторы
диэлектрическая изоляция
vтехнологические процессы
радиационно стойкие ИС
Gorban, A. N.
Kravchina, V. V.
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС
topic_facet complementary transistors
dielectric insulation
manufacturing processes
radiation-resistant ICs
комплементарные транзисторы
диэлектрическая изоляция
vтехнологические процессы
радиационно стойкие ИС
format Article
author Gorban, A. N.
Kravchina, V. V.
author_facet Gorban, A. N.
Kravchina, V. V.
author_sort Gorban, A. N.
title Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС
title_short Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС
title_full Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС
title_fullStr Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС
title_full_unstemmed Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС
title_sort разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ис
title_alt Development of a construction and manufacturing techniques of complementary transistors for the radiation tolerant integrated circuits
description The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technological processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2011
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.23
work_keys_str_mv AT gorbanan developmentofaconstructionandmanufacturingtechniquesofcomplementarytransistorsfortheradiationtolerantintegratedcircuits
AT kravchinavv developmentofaconstructionandmanufacturingtechniquesofcomplementarytransistorsfortheradiationtolerantintegratedcircuits
AT gorbanan razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostojkihis
AT kravchinavv razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostojkihis
first_indexed 2025-11-06T02:51:37Z
last_indexed 2025-11-12T02:42:23Z
_version_ 1850410268316663808

Similar Items