Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
The influence of circular metallization of the reverse side of p–i–n-photodiode crystal based on highly ohm silicon on it’s characteristics are explored. The dark current can be decreased by an order, at the same time losses of current monochromatic sensitiveness on a wave-length 1,06 mkm d...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.27 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-521 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5212025-11-11T15:25:19Z Silicic p–i–n-photodiode with small dark current Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током Dobrovolskiy, Yu. G. Ashcheulov, A. A. p-i-n-photodiode sensitivity dark current p–i–n-фотодиод чувствительность темновой ток The influence of circular metallization of the reverse side of p–i–n-photodiode crystal based on highly ohm silicon on it’s characteristics are explored. The dark current can be decreased by an order, at the same time losses of current monochromatic sensitiveness on a wave-length 1,06 mkm do not exceed 15%. The characteristics of the offered photodiode show that it can be recommended as base construction at serial product designing. Исследовано влияние кольцевой металлизации обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния на его характеристики. Это позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 мкм не превышают 15%. Характеристики предложенного фотодиода показывают, что он может быть рекомендован в качестве базовой конструкции при разработке серийных изделий. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-06-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.27 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-31 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-31 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.27/471 Copyright (c) 2011 Dobrovolskiy Yu. G., Ashcheulov A. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-11T15:25:19Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
p–i–n-фотодиод чувствительность темновой ток |
| spellingShingle |
p–i–n-фотодиод чувствительность темновой ток Dobrovolskiy, Yu. G. Ashcheulov, A. A. Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| topic_facet |
p-i-n-photodiode sensitivity dark current p–i–n-фотодиод чувствительность темновой ток |
| format |
Article |
| author |
Dobrovolskiy, Yu. G. Ashcheulov, A. A. |
| author_facet |
Dobrovolskiy, Yu. G. Ashcheulov, A. A. |
| author_sort |
Dobrovolskiy, Yu. G. |
| title |
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_short |
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_full |
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_fullStr |
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_full_unstemmed |
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_sort |
кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_alt |
Silicic p–i–n-photodiode with small dark current |
| description |
The influence of circular metallization of the reverse side of p–i–n-photodiode crystal based on highly ohm silicon on it’s characteristics are explored. The dark current can be decreased by an order, at the same time losses of current monochromatic sensitiveness on a wave-length 1,06 mkm do not exceed 15%. The characteristics of the offered photodiode show that it can be recommended as base construction at serial product designing. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2011 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.27 |
| work_keys_str_mv |
AT dobrovolskiyyug silicicpinphotodiodewithsmalldarkcurrent AT ashcheulovaa silicicpinphotodiodewithsmalldarkcurrent AT dobrovolskiyyug kremnievyjpinfotodiodsmalymtemnovymtokom AT ashcheulovaa kremnievyjpinfotodiodsmalymtemnovymtokom |
| first_indexed |
2025-11-06T02:51:37Z |
| last_indexed |
2025-11-12T02:42:24Z |
| _version_ |
1850410268457172992 |