Зображення обкладинки

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током

The influence of circular metallization of the reverse side of p–i–n-photodiode crystal based on highly ohm silicon on it’s characteristics are explored. The dark current can be decreased by an order, at the same time losses of current monochromatic sensitiveness on a wave-length 1,06 mkm d...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Dobrovolskiy, Yu. G., Ashcheulov, A. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:	p–i–n-фотодиод чувствительность темновой ток
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.27
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

Модульный спектрометр для оценки качества технологии твердотельных детекторов
за авторством: Perevertaylo, V. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
за авторством: Semenov, А. А., та інші
Опубліковано: (2012)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

МIКРОБНI ПРЕПАРАТИ ЯК ФАКТОРИ РЕГУЛЯЦII ЧИСЕЛЬНОСТI АГРОНОМIЧНО КОРИСНИХ МIКРООРГАНIЗМIВ У ҐРУНТІ ТА РИЗОСФЕРI ОВОЧЕВИХ КУЛЬТУР
за авторством: Аутко , О.О., та інші
Опубліковано: (2009)

On strongly almost \(m\)-\(\omega_1\)-\(p^{\omega+n}\)-projective abelian \(p\)-groups
за авторством: Danchev, Peter
Опубліковано: (2016)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2009)

Гiбридний метод побудови секвенцiальних рекомендацiйних систем, заснований на автоматичному синтезi графiв знань та механiзмi уваги
за авторством: Androsov, Dmytro, та інші
Опубліковано: (2025)

Физиологические аспекты проектирования систем скрытой передачи информации на оптическом излучении видимого диапазона
за авторством: Brailovskii, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Кристалохiмія реакцій на поверхні твердої фази
за авторством: Shablovsky, Ya. O.
Опубліковано: (2020)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS
за авторством: Karushkin, M. F., та інші
Опубліковано: (2025)

Твердотельные СВЧ-модули для радиотехнической аппаратуры и систем миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)

The \(p\)–gen nature of \(M_0(V)\) (I)
за авторством: Scott, Stuart D.
Опубліковано: (2018)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

ПАССИВНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ В ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЦЕПЯХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ
за авторством: Луценко, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
за авторством: Dubeshko, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ ОБМОТОК ТРАНСФОРМАТОРА ПОД НАГРУЗКОЙ
за авторством: Беляев , В.К., та інші
Опубліковано: (2013)

МЕТОД ОТРИМАННЯ ОЧИЩЕНИХ ПРЕПАРАТІВ ВІРУСІВ РОСЛИН
за авторством: Мамчур , О.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

EUROPROBE leadership (1991―2001) — V.I. Starostenko
за авторством: Stephenson, R.
Опубліковано: (2025)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Цифровые генераторные преобразователи повышенной чувствительности для систем управления и контроля
за авторством: Shakurskiy, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

\(N\) – real fields
за авторством: Feigelstock, Shalom
Опубліковано: (2018)

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ЛАВИННОГО ФОТОДИОДА ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Устройство для бесконтактного экспресс-измерения параметров термоэлектрических материалов
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

ВПЛИВ ІНОКУЛЯНТІВ І ПЕСТИЦИДІВ НА РОЗВИТОК БОБОВО-РИЗОБІАЛЬНОГО СИМБІОЗУ ТА ПРОДУКТИВНІСТЬ ЗЕРНОБОБОВИХ РОСЛИН
за авторством: Сафронова , Г.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)