Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
A new physical method of Cd1–хZnхTe-detectors passivation is proposed — the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it’s surface after the surface cleaning under intensive light i...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-523 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5232025-11-05T12:26:57Z Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1–хZnхTe crystals Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Zagoruiko, Yu. A. Kovalenko, N. O. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. Gerasimenko, A. S. Dobrotvorskaya, M. V. Mateychenko, P. V. Cd1–хZnхTe detector photostimulated surface passivation laser ablation leakage currents Cd1–хZnхTe-детектор фотостимулированная пассивация поверхности лазерная абляция токи утечки A new physical method of Cd1–хZnхTe-detectors passivation is proposed — the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it’s surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1–хZnхTe samples and reduces leakage currents in them. Предложен новый физический метод пассивации Cd1–хZnхTe-детекторов — обработка поверхности кристалла с помощью лазерной абляции (ЛА) с последующей фотостимулированной пассивацией (ФСП), при котором образование на поверхности образца высокоомного оксидного слоя происходит после очистки его поверхности при воздействии интенсивного светового излучения. Метод технологичен и по сравнению с методами ФСП и ФЭСП обеспечивает получение более толстых, однородных и высокоомных оксидных пленок, что существенно увеличивает поверхностное электросопротивление образцов и уменьшает в них токи утечки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-06-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-36 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-36 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35/473 Copyright (c) 2011 Zagoruiko Yu. A., Kovalenko N. O., Khristyan V. A., Fedorenko O. A., Gerasimenko A. S., Dobrotvorskaya M. V., Mateychenko P. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-05T12:26:57Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Cd1–хZnхTe-детектор фотостимулированная пассивация поверхности лазерная абляция токи утечки |
| spellingShingle |
Cd1–хZnхTe-детектор фотостимулированная пассивация поверхности лазерная абляция токи утечки Zagoruiko, Yu. A. Kovalenko, N. O. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. Gerasimenko, A. S. Dobrotvorskaya, M. V. Mateychenko, P. V. Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| topic_facet |
Cd1–хZnхTe detector photostimulated surface passivation laser ablation leakage currents Cd1–хZnхTe-детектор фотостимулированная пассивация поверхности лазерная абляция токи утечки |
| format |
Article |
| author |
Zagoruiko, Yu. A. Kovalenko, N. O. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. Gerasimenko, A. S. Dobrotvorskaya, M. V. Mateychenko, P. V. |
| author_facet |
Zagoruiko, Yu. A. Kovalenko, N. O. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. Gerasimenko, A. S. Dobrotvorskaya, M. V. Mateychenko, P. V. |
| author_sort |
Zagoruiko, Yu. A. |
| title |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_short |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_full |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_fullStr |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_full_unstemmed |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_sort |
лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов cd1–хznхte |
| title_alt |
Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1–хZnхTe crystals |
| description |
A new physical method of Cd1–хZnхTe-detectors passivation is proposed — the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it’s surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1–хZnхTe samples and reduces leakage currents in them. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2011 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35 |
| work_keys_str_mv |
AT zagoruikoyua laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals AT kovalenkono laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals AT khristyanva laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals AT fedorenkooa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals AT gerasimenkoas laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals AT dobrotvorskayamv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals AT mateychenkopv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals AT zagoruikoyua lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT kovalenkono lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT khristyanva lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT dobrotvorskayamv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT mateychenkopv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte |
| first_indexed |
2025-11-06T02:51:37Z |
| last_indexed |
2025-11-06T02:51:37Z |
| _version_ |
1848007718190710784 |