Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe

A new physical method of Cd1–хZnхTe-detectors passivation is proposed — the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it’s surface after the surface cleaning under intensive light i...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Zagoruiko, Yu. A., Kovalenko, N. O., Khristyan, V. A., Fedorenko, O. A., Gerasimenko, A. S., Dobrotvorskaya, M. V., Mateychenko, P. V.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:
Cd1–хZnхTe-детектор
фотостимулированная пассивация поверхности
лазерная абляция
токи утечки
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-523
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5232025-11-05T12:26:57Z Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1–хZnхTe crystals Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Zagoruiko, Yu. A. Kovalenko, N. O. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. Gerasimenko, A. S. Dobrotvorskaya, M. V. Mateychenko, P. V. Cd1–хZnхTe detector photostimulated surface passivation laser ablation leakage currents Cd1–хZnхTe-детектор фотостимулированная пассивация поверхности лазерная абляция токи утечки A new physical method of Cd1–хZnхTe-detectors passivation is proposed — the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it’s surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1–хZnхTe samples and reduces leakage currents in them. Предложен новый физический метод пассивации Cd1–хZnхTe-детекторов — обработка по­верх­нос­ти кристалла с помощью лазерной абляции (ЛА) с последующей фотостимулированной пас­си­ва­ци­ей (ФСП), при котором образование на поверхности образца высокоомного оксидного слоя происходит после очистки его поверхности при воздействии интенсивного светового излучения. Метод технологичен и по сравнению с методами ФСП и ФЭСП обеспечивает получение более толстых, однородных и высокоомных оксидных пленок, что существенно увеличивает поверхностное электросопротивление образцов и уменьшает в них токи утечки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-06-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-36 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-36 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35/473 Copyright (c) 2011 Zagoruiko Yu. A., Kovalenko N. O., Khristyan V. A., Fedorenko O. A., Gerasimenko A. S., Dobrotvorskaya M. V., Mateychenko P. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-05T12:26:57Z
collection OJS
language Ukrainian
topic Cd1–хZnхTe-детектор
фотостимулированная пассивация поверхности
лазерная абляция
токи утечки
spellingShingle Cd1–хZnхTe-детектор
фотостимулированная пассивация поверхности
лазерная абляция
токи утечки
Zagoruiko, Yu. A.
Kovalenko, N. O.
Khristyan, V. A.
Fedorenko, O. A.
Gerasimenko, A. S.
Dobrotvorskaya, M. V.
Mateychenko, P. V.
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
topic_facet Cd1–хZnхTe detector
photostimulated surface passivation
laser ablation
leakage currents
Cd1–хZnхTe-детектор
фотостимулированная пассивация поверхности
лазерная абляция
токи утечки
format Article
author Zagoruiko, Yu. A.
Kovalenko, N. O.
Khristyan, V. A.
Fedorenko, O. A.
Gerasimenko, A. S.
Dobrotvorskaya, M. V.
Mateychenko, P. V.
author_facet Zagoruiko, Yu. A.
Kovalenko, N. O.
Khristyan, V. A.
Fedorenko, O. A.
Gerasimenko, A. S.
Dobrotvorskaya, M. V.
Mateychenko, P. V.
author_sort Zagoruiko, Yu. A.
title Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_short Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_full Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_fullStr Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_full_unstemmed Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_sort лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов cd1–хznхte
title_alt Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1–хZnхTe crystals
description A new physical method of Cd1–хZnхTe-detectors passivation is proposed — the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it’s surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1–хZnхTe samples and reduces leakage currents in them.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2011
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.35
work_keys_str_mv AT zagoruikoyua laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals
AT kovalenkono laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals
AT khristyanva laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals
AT fedorenkooa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals
AT gerasimenkoas laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals
AT dobrotvorskayamv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals
AT mateychenkopv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1hznhtecrystals
AT zagoruikoyua lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte
AT kovalenkono lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte
AT khristyanva lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte
AT fedorenkooa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte
AT gerasimenkoas lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte
AT dobrotvorskayamv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte
AT mateychenkopv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte
first_indexed 2025-11-06T02:51:37Z
last_indexed 2025-11-06T02:51:37Z
_version_ 1848007718190710784

Схожі ресурси