Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин

An influence of g-irradiation (Co60) with doze up to 1—1018 сm–2 and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of 1–xGex (х = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08—0,025 Оhm·сm in temperature range 4,2—300 K have been studi...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-528
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5282025-11-05T21:19:44Z Stability to irradiation of SiGe whisker crystals used for sensors of physical values Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин Druzhinin, A. A. Ostrovskiy, I. P. Khoverko, Yu. N. Litovchenko, P. G. Pavlovska, N. T. Pavlovskiy, Yu. V. Tsmots, V. M. Povarchuk, V. Yu. whisker silicon-germanium gage gamma irradiation нитевидный кристалл кремний-германий тензорезистор гамма-облучение An influence of g-irradiation (Co60) with doze up to 1—1018 сm–2 and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of 1–xGex (х = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08—0,025 Оhm·сm in temperature range 4,2—300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·1017 сm–2, while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed. Изучено влияние облучения γ-квантами (излучение Co60) с дозами до 1·1018 см–2 и магнитного по­ля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1–xGex (х = 0,03) с удель­ным сопротивлением 0,08—0,025 Ом·см в интервале температур 4,2—300 К. Ус­та­нов­ле­но, что сопротивление кристаллов слабо меняется в процессе облучения дозами до 2·1017 см–2, в то же время наблюдается существенный магниторезистивный эффект. На ос­но­ве проведенных исследований предложены условия создания радиационно стойких сенсоров де­фор­ма­ции, работоспособных в сильных магнитных полях. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-04-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 10-12 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 10-12 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10/478 Copyright (c) 2011 Druzhinin A. A., Ostrovskiy I. P., Khoverko Yu. N., Litovchenko P. G., Pavlovska N. T., Pavlovskiy Yu. V., Tsmots V. M., Povarchuk V. Yu. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-05T21:19:44Z
collection OJS
language Ukrainian
topic нитевидный кристалл
кремний-германий
тензорезистор
гамма-облучение
spellingShingle нитевидный кристалл
кремний-германий
тензорезистор
гамма-облучение
Druzhinin, A. A.
Ostrovskiy, I. P.
Khoverko, Yu. N.
Litovchenko, P. G.
Pavlovska, N. T.
Pavlovskiy, Yu. V.
Tsmots, V. M.
Povarchuk, V. Yu.
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин
topic_facet whisker
silicon-germanium
gage
gamma irradiation
нитевидный кристалл
кремний-германий
тензорезистор
гамма-облучение
format Article
author Druzhinin, A. A.
Ostrovskiy, I. P.
Khoverko, Yu. N.
Litovchenko, P. G.
Pavlovska, N. T.
Pavlovskiy, Yu. V.
Tsmots, V. M.
Povarchuk, V. Yu.
author_facet Druzhinin, A. A.
Ostrovskiy, I. P.
Khoverko, Yu. N.
Litovchenko, P. G.
Pavlovska, N. T.
Pavlovskiy, Yu. V.
Tsmots, V. M.
Povarchuk, V. Yu.
author_sort Druzhinin, A. A.
title Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин
title_short Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин
title_full Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин
title_fullStr Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин
title_full_unstemmed Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин
title_sort радиационная стойкость нитевидных кристаллов sige, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин
title_alt Stability to irradiation of SiGe whisker crystals used for sensors of physical values
description An influence of g-irradiation (Co60) with doze up to 1—1018 сm–2 and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of 1–xGex (х = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08—0,025 Оhm·сm in temperature range 4,2—300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·1017 сm–2, while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2011
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10
work_keys_str_mv AT druzhininaa stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT ostrovskiyip stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT khoverkoyun stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT litovchenkopg stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT pavlovskant stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT pavlovskiyyuv stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT tsmotsvm stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT povarchukvyu stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues
AT druzhininaa radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
AT ostrovskiyip radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
AT khoverkoyun radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
AT litovchenkopg radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
AT pavlovskant radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
AT pavlovskiyyuv radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
AT tsmotsvm radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
AT povarchukvyu radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin
first_indexed 2025-11-06T02:51:37Z
last_indexed 2025-11-06T02:51:37Z
_version_ 1850410269405085696