Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
An influence of g-irradiation (Co60) with doze up to 1—1018 сm–2 and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of 1–xGex (х = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08—0,025 Оhm·сm in temperature range 4,2—300 K have been studi...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-528 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5282025-11-05T21:19:44Z Stability to irradiation of SiGe whisker crystals used for sensors of physical values Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин Druzhinin, A. A. Ostrovskiy, I. P. Khoverko, Yu. N. Litovchenko, P. G. Pavlovska, N. T. Pavlovskiy, Yu. V. Tsmots, V. M. Povarchuk, V. Yu. whisker silicon-germanium gage gamma irradiation нитевидный кристалл кремний-германий тензорезистор гамма-облучение An influence of g-irradiation (Co60) with doze up to 1—1018 сm–2 and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of 1–xGex (х = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08—0,025 Оhm·сm in temperature range 4,2—300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·1017 сm–2, while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed. Изучено влияние облучения γ-квантами (излучение Co60) с дозами до 1·1018 см–2 и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1–xGex (х = 0,03) с удельным сопротивлением 0,08—0,025 Ом·см в интервале температур 4,2—300 К. Установлено, что сопротивление кристаллов слабо меняется в процессе облучения дозами до 2·1017 см–2, в то же время наблюдается существенный магниторезистивный эффект. На основе проведенных исследований предложены условия создания радиационно стойких сенсоров деформации, работоспособных в сильных магнитных полях. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-04-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 10-12 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 10-12 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10/478 Copyright (c) 2011 Druzhinin A. A., Ostrovskiy I. P., Khoverko Yu. N., Litovchenko P. G., Pavlovska N. T., Pavlovskiy Yu. V., Tsmots V. M., Povarchuk V. Yu. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-05T21:19:44Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
нитевидный кристалл кремний-германий тензорезистор гамма-облучение |
| spellingShingle |
нитевидный кристалл кремний-германий тензорезистор гамма-облучение Druzhinin, A. A. Ostrovskiy, I. P. Khoverko, Yu. N. Litovchenko, P. G. Pavlovska, N. T. Pavlovskiy, Yu. V. Tsmots, V. M. Povarchuk, V. Yu. Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| topic_facet |
whisker silicon-germanium gage gamma irradiation нитевидный кристалл кремний-германий тензорезистор гамма-облучение |
| format |
Article |
| author |
Druzhinin, A. A. Ostrovskiy, I. P. Khoverko, Yu. N. Litovchenko, P. G. Pavlovska, N. T. Pavlovskiy, Yu. V. Tsmots, V. M. Povarchuk, V. Yu. |
| author_facet |
Druzhinin, A. A. Ostrovskiy, I. P. Khoverko, Yu. N. Litovchenko, P. G. Pavlovska, N. T. Pavlovskiy, Yu. V. Tsmots, V. M. Povarchuk, V. Yu. |
| author_sort |
Druzhinin, A. A. |
| title |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_short |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_full |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_fullStr |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_full_unstemmed |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_sort |
радиационная стойкость нитевидных кристаллов sige, используемых для сенсоров физических величин |
| title_alt |
Stability to irradiation of SiGe whisker crystals used for sensors of physical values |
| description |
An influence of g-irradiation (Co60) with doze up to 1—1018 сm–2 and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of 1–xGex (х = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08—0,025 Оhm·сm in temperature range 4,2—300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·1017 сm–2, while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2011 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10 |
| work_keys_str_mv |
AT druzhininaa stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT ostrovskiyip stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT khoverkoyun stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT litovchenkopg stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT pavlovskant stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT pavlovskiyyuv stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT tsmotsvm stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT povarchukvyu stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT druzhininaa radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT ostrovskiyip radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT khoverkoyun radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT litovchenkopg radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT pavlovskant radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT pavlovskiyyuv radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT tsmotsvm radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT povarchukvyu radiacionnaâstojkostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin |
| first_indexed |
2025-11-06T02:51:37Z |
| last_indexed |
2025-11-06T02:51:37Z |
| _version_ |
1850410269405085696 |