Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин

An influence of g-irradiation (Co60) with doze up to 1—1018 сm–2 and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of 1–xGex (х = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08—0,025 Оhm·сm in temperature range 4,2—300 K have been studi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2011
Hauptverfasser: Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment