Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
Technological process features of ohmic contacts formation in semiconductor devices based on А3В5 connections and the general principles of technological modules construction are considered. The results received by means of installations of an electron-beam evaporation of STE EB series...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | Aleksandrov, S. B., Krupal'nik, K. M, Kornilov, N. O., Kondratyeva, T. A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.49 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
за авторством: Matyushin, V. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Matyushin, V. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
за авторством: Revenyuk, T. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Revenyuk, T. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
за авторством: Ushenin, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ushenin, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2008)
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
за авторством: Иващук, А.В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Иващук, А.В.
Опубліковано: (2000)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
за авторством: Bosyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Bosyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2008)
Опыт применения электрических контактов космической техники при конструировании приборов медицинского назначения
за авторством: Буслова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Буслова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Психологічні основи повторності слідчої діяльності
за авторством: Дирдін, М.Є., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дирдін, М.Є., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
за авторством: Мартынов , В.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Мартынов , В.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
за авторством: Alieva, Kh. S.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Alieva, Kh. S.
Опубліковано: (2012)
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2002)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
за авторством: Нинидзе, Г.К., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Нинидзе, Г.К., та інші
Опубліковано: (2005)
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (2002)
Механизм возникновения шумовых максимумов в элементах с нелинейными вольт-амперными характеристиками
за авторством: Головко, А.Г.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Головко, А.Г.
Опубліковано: (2004)
Однокристальная микро-ЭВМ для систем с высокоразвитыми локальными сетями
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Филинюк, Н.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Филинюк, Н.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Кинетика десорбционной очистки поверхности кремниевых пластин в перекисно-аммиачных растворах
за авторством: Полтавцев, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Полтавцев, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
Однокристальная микро-ЭВМ с аналого-цифровым преобразователем
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов
за авторством: Кравченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кравченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
БИС электронных пластиковых карт с предварительной оплатой
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
за авторством: Рюхтин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рюхтин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2004)
Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2002)
Ве-феномен
за авторством: Тарасов, А.Е.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Тарасов, А.Е.
Опубліковано: (2009)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)
ЭНЕРГИЯ ВЫХОДНОЙ ЦЕПИ ИСТОЧНИКА УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Мартынов , В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мартынов , В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
за авторством: Matyushin, V. M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011) -
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
за авторством: Revenyuk, T. A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
за авторством: Ushenin, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2008)