Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
Technological process features of ohmic contacts formation in semiconductor devices based on А3В5 connections and the general principles of technological modules construction are considered. The results received by means of installations of an electron-beam evaporation of STE EB series and...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Aleksandrov, S. B., Krupal'nik, K. M, Kornilov, N. O., Kondratyeva, T. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.49 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
von: Matyushin, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Revenyuk, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ushenin, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)