Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
Technological process features of ohmic contacts formation in semiconductor devices based on А3В5 connections and the general principles of technological modules construction are considered. The results received by means of installations of an electron-beam evaporation of STE EB series...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Aleksandrov, S. B., Krupal'nik, K. M, Kornilov, N. O., Kondratyeva, T. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.49 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
von: Matyushin, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Matyushin, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Revenyuk, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Revenyuk, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
von: Kazakov, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kazakov, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ushenin, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ushenin, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000)
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов
von: Кравченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кравченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Bosyi, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Bosyi, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Психологічні основи повторності слідчої діяльності
von: Дирдін, М.Є., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дирдін, М.Є., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Опыт применения электрических контактов космической техники при конструировании приборов медицинского назначения
von: Буслова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Буслова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Компьютерное моделирование флуктуационных преобразований в полупроводниковых барьерах
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2004)
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2004)
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ве-феномен
von: Тарасов, А.Е.
Veröffentlicht: (2009)
von: Тарасов, А.Е.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Alieva, Kh. S.
Veröffentlicht: (2012)
von: Alieva, Kh. S.
Veröffentlicht: (2012)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
von: Нинидзе, Г.К., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Нинидзе, Г.К., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Механизм возникновения шумовых максимумов в элементах с нелинейными вольт-амперными характеристиками
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2004)
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2004)
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (2002)
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (2002)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
von: Рюхтин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Рюхтин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Кинетика десорбционной очистки поверхности кремниевых пластин в перекисно-аммиачных растворах
von: Полтавцев, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Полтавцев, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Однокристальная микро-ЭВМ с аналого-цифровым преобразователем
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
von: Филинюк, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Филинюк, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Однокристальная микро-ЭВМ для систем с высокоразвитыми локальными сетями
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
von: Matyushin, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Revenyuk, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
von: Kazakov, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ushenin, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)