Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

The article presents the research on interactions between phases in the Ge–Au, Ge–TiBx and Au–TiBxAu contacts to n–n+–n++-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au–TiBx–Au–Ge contact metallization in...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:
катодный контакт
фосфид индия
диод Ганна
омический контакт
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.03
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-543
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5432025-11-13T21:50:27Z InP Gunn diodes with a cathode contact injecting hot electrons. Part 1. Interactions between phases in the cathode contacts Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах Boltovets, N. S. Ivanov, V. N. Kovtonyuk, V. M. Rayevskaya, N. S. Belyaev, A. E. Bobyl, A. V. Konakova, R. V. Kudryk, Ya. Ya. Milenin, V. V. Novitskiy, C. V. Sheremet, V. N. cathode contact indium phosphide Gunn diode ohmic contact катодный контакт фосфид индия диод Ганна омический контакт The article presents the research on interactions between phases in the Ge–Au, Ge–TiBx and Au–TiBxAu contacts to n–n+–n++-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au–TiBx–Au–Ge contact metallization in the –40...+60 °С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer. The output parameters of Gunn diodes with Au–TiBx–Au–Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology. Исследованы межфазные взаимодействия в контактах Ge–Au, Ge–TiBx и Au–TiBx–Au к n–n+–n++-InP до и после быстрой термической обработки и выходные параметры InP-диодов Ганна (ДГ) с контактной металлизацией Au–TiBx–Au–Ge в диапазоне температуры –40...+60°С. Показано, что омический контакт к слою InP формируется вследствие диффузии атомов Ge и Au вглубь слоя, а выходные параметры ДГ с такими катодными контактами соответствуют параметрам ДГ, полученных по более сложной технологии. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.03 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-6 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-6 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.03/492 Copyright (c) 2010 Boltovets N. S., Ivanov V. N., Kovtonyuk V. M., Rayevskaya N. S., Belyaev A. E., Bobyl A. V., Konakova R. V., Kudryk Ya. Ya., Milenin V. V., Novitskiy S. V., Sheremet V. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-13T21:50:27Z
collection OJS
language Ukrainian
topic катодный контакт
фосфид индия
диод Ганна
омический контакт
spellingShingle катодный контакт
фосфид индия
диод Ганна
омический контакт
Boltovets, N. S.
Ivanov, V. N.
Kovtonyuk, V. M.
Rayevskaya, N. S.
Belyaev, A. E.
Bobyl, A. V.
Konakova, R. V.
Kudryk, Ya. Ya.
Milenin, V. V.
Novitskiy, C. V.
Sheremet, V. N.
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
topic_facet cathode contact
indium phosphide
Gunn diode
ohmic contact
катодный контакт
фосфид индия
диод Ганна
омический контакт
format Article
author Boltovets, N. S.
Ivanov, V. N.
Kovtonyuk, V. M.
Rayevskaya, N. S.
Belyaev, A. E.
Bobyl, A. V.
Konakova, R. V.
Kudryk, Ya. Ya.
Milenin, V. V.
Novitskiy, C. V.
Sheremet, V. N.
author_facet Boltovets, N. S.
Ivanov, V. N.
Kovtonyuk, V. M.
Rayevskaya, N. S.
Belyaev, A. E.
Bobyl, A. V.
Konakova, R. V.
Kudryk, Ya. Ya.
Milenin, V. V.
Novitskiy, C. V.
Sheremet, V. N.
author_sort Boltovets, N. S.
title Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_short Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_full Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_fullStr Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_full_unstemmed Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_sort диоды ганна из inp с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. ч. 1. межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_alt InP Gunn diodes with a cathode contact injecting hot electrons. Part 1. Interactions between phases in the cathode contacts
description The article presents the research on interactions between phases in the Ge–Au, Ge–TiBx and Au–TiBxAu contacts to n–n+–n++-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au–TiBx–Au–Ge contact metallization in the –40...+60 °С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer. The output parameters of Gunn diodes with Au–TiBx–Au–Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.03
work_keys_str_mv AT boltovetsns inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT ivanovvn inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT kovtonyukvm inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT rayevskayans inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT belyaevae inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT bobylav inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT konakovarv inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT kudrykyaya inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT mileninvv inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT novitskiycv inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT sheremetvn inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT boltovetsns diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT ivanovvn diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT kovtonyukvm diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT rayevskayans diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT belyaevae diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT bobylav diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT konakovarv diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT kudrykyaya diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT mileninvv diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT novitskiycv diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
AT sheremetvn diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyč1mežfaznyevzaimodejstviâvkatodnyhkontaktah
first_indexed 2025-11-14T03:18:11Z
last_indexed 2025-11-14T03:18:11Z
_version_ 1850410272790937600

Схожі ресурси