Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

• Дата: 2010
• Автори: Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
• Теми: катодный контакт; фосфид индия; диод Ганна; омический контакт
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.03
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The article presents the research on interactions between phases in the Ge–Au, Ge–TiBx and Au–TiBxAu contacts to n–n+–n++-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au–TiBx–Au–Ge contact metallization...