Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов

Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures.

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2010
Main Authors: Lugin, A. N., Ozemsha, M. M.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Subjects:
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.11
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-545
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5452025-11-13T21:50:27Z Reliability growth of thin film resistors contact Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов Lugin, A. N. Ozemsha, M. M. contact thin film resistor current density dissipation power контакт тонкопленочный резистор плотность тока мощность рассеяния Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures. Показано, что с целью снижения пиковых значений тока и мощности рассеяния в контакте тон­ко­пле­ноч­ного резистора, а значит, и повышения устойчивости резистора к параметрическим и катастрофическим отказам необходимо увеличить толщину резистивного слоя под контактом и в приграничной к контакту зоне резистивного элемента. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.11 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 11-14 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 11-14 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.11/494 Copyright (c) 2010 Lugin A. N., Ozemsha M. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-13T21:50:27Z
collection OJS
language Ukrainian
topic контакт
тонкопленочный резистор
плотность тока
мощность рассеяния
spellingShingle контакт
тонкопленочный резистор
плотность тока
мощность рассеяния
Lugin, A. N.
Ozemsha, M. M.
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
topic_facet contact
thin film resistor
current density
dissipation power
контакт
тонкопленочный резистор
плотность тока
мощность рассеяния
format Article
author Lugin, A. N.
Ozemsha, M. M.
author_facet Lugin, A. N.
Ozemsha, M. M.
author_sort Lugin, A. N.
title Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
title_short Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
title_full Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
title_fullStr Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
title_full_unstemmed Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
title_sort повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
title_alt Reliability growth of thin film resistors contact
description Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.11
work_keys_str_mv AT luginan reliabilitygrowthofthinfilmresistorscontact
AT ozemshamm reliabilitygrowthofthinfilmresistorscontact
AT luginan povyšenienadežnostikontaktatonkoplenočnyhrezistorov
AT ozemshamm povyšenienadežnostikontaktatonkoplenočnyhrezistorov
first_indexed 2025-11-14T03:18:12Z
last_indexed 2025-11-14T03:18:12Z
_version_ 1848822209215201280