Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов

Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Lugin, A. N., Ozemsha, M. M.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.11
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment