Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543888107372544 |
|---|---|
| author | Perevertaylo, V. L. |
| author_facet | Perevertaylo, V. L. |
| author_sort | Perevertaylo, V. L. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-11-13T21:50:27Z |
| description | The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created. |
| first_indexed | 2025-11-14T03:18:12Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-548 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-14T03:18:12Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-5482025-11-13T21:50:27Z Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on mosfet Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов Perevertaylo, V. L. MOS dosimeter technology p-, n-MOS transistor threshold voltage thick oxide layer radiation sensitivity passive conditions dose dependence МОП-дозиметр технология р-, n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created. Определены требования к конструкции и технологии изготовления р-канальных и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Разработана технология создания радиационно-чувствительных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида в р-канальном и в n-канальном варианте. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 22-29 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 22-29 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22/497 Copyright (c) 2010 Perevertaylo V. L. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость Perevertaylo, V. L. Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_alt | Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on mosfet |
| title_full | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_fullStr | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_full_unstemmed | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_short | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_sort | датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе моп-транзисторов |
| topic | МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость |
| topic_facet | MOS dosimeter technology p- n-MOS transistor threshold voltage thick oxide layer radiation sensitivity passive conditions dose dependence МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22 |
| work_keys_str_mv | AT perevertaylovl sensorsofabsorbeddoseofionizingradiationbasedonmosfet AT perevertaylovl datčikiintegralʹnojpogloŝennojdozyioniziruûŝegoizlučeniânaosnovemoptranzistorov |