Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Perevertaylo, V. L. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
von: Iskender-zade, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Iskender-zade, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Gasanov, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Gasanov, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Baranov, V. V.
Veröffentlicht: (2005)
von: Baranov, V. V.
Veröffentlicht: (2005)
КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
von: Verbitsky, V. G., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Verbitsky, V. G., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Некоторые аспекты формирования поглощенной дозы воздушно-водных растений
von: Волкова, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Волкова, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Изучение влияния величины поглощенной дозы радиации на вероятность развития злокачественных новообразований
von: Демина, Э.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Демина, Э.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
von: Rubtsevitch, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Rubtsevitch, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Дозиметры энергетической освещенности ультрафиолетового излучения типа "Тензор"
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Радионуклиды европия как источники излучения для гамма-радиационных технологий: моделирование распределений поглощенной дозы в гомогенных средах
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Повышение качества изделий электронной техники путем моделирования стадий их производства
von: Shestakova, T. V.
Veröffentlicht: (2007)
von: Shestakova, T. V.
Veröffentlicht: (2007)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Гуляев, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гуляев, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ В БАГАТОКОМІРКОВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЗВАРЮВАННЯ
von: Бондаренко, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Бондаренко, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Модель алмазного транзистора
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Hasanov, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Hasanov, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера
von: Alekseik, O. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Alekseik, O. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Математическая модель технологического процесса по выборкам малого объема
von: Dolgov, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Dolgov, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Существующие дозы облучения населения Украины
von: Павленко, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Павленко, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
Основні етапи історичного розвитку МОП
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2010)
Правотворча функція Генеральної конференції МОП
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2012)
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2012)
Функція визначення загальної політики МОП
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2011)
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2011)
Физические имитаторы мощных транзисторов
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Волоконно-оптические датчики концентрации метана
von: Сидоренко, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Сидоренко, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Датчики ацетилена в системе УТАС
von: Канин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Канин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
von: Yefymovych, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Yefymovych, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Акустические датчики для дистанционного контроля давления
von: Karapetyan, G. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Karapetyan, G. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Сучасні мікроелектронні датчики для інтелектуальних систем
von: Лепіх, Я.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Лепіх, Я.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010) -
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
von: Iskender-zade, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)