Buchumschlag

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
1. Verfasser:	Perevertaylo, V. L.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Изучение влияния величины поглощенной дозы радиации на вероятность развития злокачественных новообразований
von: Демина, Э.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радионуклиды европия как источники излучения для гамма-радиационных технологий: моделирование распределений поглощенной дозы в гомогенных средах
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Гуляев, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Повышение качества изделий электронной техники путем моделирования стадий их производства
von: Shestakova, T. V.
Veröffentlicht: (2007)

ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ В БАГАТОКОМІРКОВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЗВАРЮВАННЯ
von: Бондаренко, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Hasanov, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Модель алмазного транзистора
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера
von: Alekseik, O. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физиологические аспекты проектирования систем скрытой передачи информации на оптическом излучении видимого диапазона
von: Brailovskii, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Основні етапи історичного розвитку МОП
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2010)

Правотворча функція Генеральної конференції МОП
von: Мельник, Н.С.
Veröffentlicht: (2012)

ПАССИВНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ В ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЦЕПЯХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ
von: Луценко, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Физические имитаторы мощных транзисторов
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2009)

АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ ОБМОТОК ТРАНСФОРМАТОРА ПОД НАГРУЗКОЙ
von: Беляев , В.К., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Волоконно-оптические датчики концентрации метана
von: Сидоренко, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Гасанов, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Цифровые генераторные преобразователи повышенной чувствительности для систем управления и контроля
von: Shakurskiy, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
von: Yefymovych, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Сучасні мікроелектронні датчики для інтелектуальних систем
von: Лепіх, Я.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
von: Karapetyan, G. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Формирование радиационной дозы облучения пресноводных рыб на эмбриональной стадии развития
von: Волкова, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)