Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

• Дата: 2010
• Автор: Perevertaylo, V. L.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
• Теми: МОП-дозиметр; технология р-; n-МОП-транзистора; пороговое напряжение; толстый слой оксида; радиационная чувствительность; пассивный режим; дозовая зависимость
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-...