Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
Two types of metallization (Au, Ti) to a fullerene-bearing material are investigated. The advantages of microwave annealing are noted. Microwave annealing of polymer-fullerene layers with both metallizations is studied; the resistance decreases in both cases. The titanium metallization seems to be m...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.40 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000) -
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)