Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its v...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	InSe термическое окисление поверхностное сопротивление атомно-силовая микроскопия поверхностная топология
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.51
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-554
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-5542025-11-13T21:50:27Z Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Katerynchuk, V. M. Kovaluk, Z. D. Khomiak, V. V. InSe thermal oxidation surface resistance atomic-force microscopy surface topology InSe термическое окисление поверхностное сопротивление атомно-силовая микроскопия поверхностная топология The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors. Исследована динамика поверхностного сопротивления пленок In2O3, термически выращенных на подложках InSe в двух кристаллографических плоскостях. Установлено, что их сопротивление существенно меняется лишь в течение первых 5 минут периода окисления. Увеличение времени окисления не влияет на его величину, но приводит к трансформации топологии поверхности. На изображениях атомно-силовой микроскопии обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в виде наноигл. Их латеральные и вертикальные размеры, а также их плотность зависят от температурно-временных факторов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.51 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 51-53 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 51-53 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.51/503 Copyright (c) 2010 Katerynchuk V. M., Kovaluk Z. D., Khomiak V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-11-13T21:50:27Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	InSe термическое окисление поверхностное сопротивление атомно-силовая микроскопия поверхностная топология
spellingShingle	InSe термическое окисление поверхностное сопротивление атомно-силовая микроскопия поверхностная топология Katerynchuk, V. M. Kovaluk, Z. D. Khomiak, V. V. Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
topic_facet	InSe thermal oxidation surface resistance atomic-force microscopy surface topology InSe термическое окисление поверхностное сопротивление атомно-силовая микроскопия поверхностная топология
format	Article
author	Katerynchuk, V. M. Kovaluk, Z. D. Khomiak, V. V.
author_facet	Katerynchuk, V. M. Kovaluk, Z. D. Khomiak, V. V.
author_sort	Katerynchuk, V. M.
title	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_short	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_full	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_fullStr	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_full_unstemmed	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_sort	электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках inse
title_alt	Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates
description	The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2010
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.51
work_keys_str_mv	AT katerynchukvm electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT kovalukzd electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT khomiakvv electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT katerynchukvm élektričeskieitopologičeskiesvojstvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT kovalukzd élektričeskieitopologičeskiesvojstvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT khomiakvv élektričeskieitopologičeskiesvojstvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse
first_indexed	2025-11-14T03:18:13Z
last_indexed	2025-11-14T03:18:13Z
_version_	1850410274688860160

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

Institution

Ähnliche Einträge