Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its v...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.51 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2010) -
Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
by: Boledzyuk, V. B., et al.
Published: (2018) -
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Forsh, P. A., et al.
Published: (2009) -
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2009) -
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА В СМАРТ-СЕТЯХ
by: Жуйков , В.Я.
Published: (2012)