Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 1017 сm–2 in temperature range 4,2–300 К and high magnetic fields were investigated. It was found that h...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.63 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543890930139136 |
|---|---|
| author | Khoverko, Yu. N. |
| author_facet | Khoverko, Yu. N. |
| author_sort | Khoverko, Yu. N. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-11-13T21:50:27Z |
| description | The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 1017 сm–2 in temperature range 4,2–300 К and high magnetic fields were investigated. It was found that heavily doped laser recrystallized polysilicon on insulator layers show its radiation resistance under irradiation with high-energy electrons and magnetoresistance of such material remains quite low in magnetic field about 14 T does not exceed 1–2%. Such qulity can be applied in designing of microelectronic sensors of mechanical values operable in hard conditions of exploitation. |
| first_indexed | 2025-11-14T03:18:14Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-558 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-14T03:18:14Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-5582025-11-13T21:50:27Z Investigation of the stability of polysilicon layers in SOI-structures under irradiation by electrons and hard magnetic field influence Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления Khoverko, Yu. N. polysilicon SOI structure laser recrystallization sensor electronic irradiation magnetoresistance поликремний КНИ-структура лазерная рекристаллизация датчик электронное облучение магнетосопротивление The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 1017 сm–2 in temperature range 4,2–300 К and high magnetic fields were investigated. It was found that heavily doped laser recrystallized polysilicon on insulator layers show its radiation resistance under irradiation with high-energy electrons and magnetoresistance of such material remains quite low in magnetic field about 14 T does not exceed 1–2%. Such qulity can be applied in designing of microelectronic sensors of mechanical values operable in hard conditions of exploitation. Исследовались вольт-амперные характеристики металлических контактов (Al, Cr, In, Mo, Ti) на тонких пленках диоксида титана, а также влияние отжига структур в вакууме на их электрические свойства. Измерения ВАХ металлических контактов проводились с помощью трехзондового метода. Установлено, что контакт индия на тонких пленках TiO2 обладает четко выраженными омическими свойствами. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.63 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 63-66 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 63-66 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.63/506 Copyright (c) 2010 Khoverko Yu. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | поликремний КНИ-структура лазерная рекристаллизация датчик электронное облучение магнетосопротивление Khoverko, Yu. N. Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления |
| title | Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления |
| title_alt | Investigation of the stability of polysilicon layers in SOI-structures under irradiation by electrons and hard magnetic field influence |
| title_full | Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления |
| title_fullStr | Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления |
| title_full_unstemmed | Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления |
| title_short | Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления |
| title_sort | свойства металлических контактов на пленках tio2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления |
| topic | поликремний КНИ-структура лазерная рекристаллизация датчик электронное облучение магнетосопротивление |
| topic_facet | polysilicon SOI structure laser recrystallization sensor electronic irradiation magnetoresistance поликремний КНИ-структура лазерная рекристаллизация датчик электронное облучение магнетосопротивление |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.63 |
| work_keys_str_mv | AT khoverkoyun investigationofthestabilityofpolysiliconlayersinsoistructuresunderirradiationbyelectronsandhardmagneticfieldinfluence AT khoverkoyun svojstvametalličeskihkontaktovnaplenkahtio2izgotovlennyhmetodomreaktivnogomagnetronnogoraspyleniâ |