Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления

• Datum: 2010
• 1. Verfasser: Khoverko, Yu. N.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
• Schlagworte: поликремний; КНИ-структура; лазерная рекристаллизация; датчик; электронное облучение; магнетосопротивление
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.63
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 1017 сm–2 in temperature range 4,2–300 К and high magnetic fields were investigated. It was found that h...