Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 1017 сm–2 in temperature range 4,2–300 К and high magnetic fields were investigated. It was found that h...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | Khoverko, Yu. N. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.63 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010) -
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Brus, V. V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2014) -
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2012) -
Низкотемпературный синтез и структура гибридных наноматериалов Ni@C, полученных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Мохненко, М.И., та інші
Опубліковано: (2015)