Buchumschlag

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe

The compound GaSe<KNO3> is obtained by the technique of intercalation of a GaSe single crystal in a melt of the ferroelectric salt KNO3. The x-ray analysis of its crystal structure has been carried out and dielectric frequency characteristics of samples has been measured. It is establi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Kovalyuk, Z. D., Konoplyanko, D. Yu., Netyaga, V. V., Bakhtinov, A. P.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	интеркаляция полупроводник А3В6 сегнетоэлектрик конденсатор
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.06
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
von: Kaminskii, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Fine structure of NQR spectra in GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ В RL–ЦЕПЯХ, СОЕДИНЯЮЩИХ КОНДЕНСАТОРЫ, ЗАРЯЖЕННЫЕ ДО РАЗНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ В RL–ЦЕПЯХ, СОЕДИНЯЮЩИХ КОНДЕНСАТОРЫ, ЗАРЯЖЕННЫЕ ДО РАЗНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д.
von: Netyaga, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
von: Khalavk, Y.B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
von: Балицький, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Properties of hybrid structures grown on the basis of nanocomposite (Ni-C) on the van der Waals surface (0001) GaSe
von: A. P. Bakhtinov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
von: Lyashkov, A. Yu.
Veröffentlicht: (2018)

Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
von: A. P. Bakhtinov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
von: Tagiyev, B.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
von: Balitskaya, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
von: Z. R. Kudrynskyi
Veröffentlicht: (2013)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
von: Kushnir, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)

High-Resolution STM Study of Gold Nanostructures Formed on GaSe Single Crystal Surfaces
von: Karbivskyy Volodymyr, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)