Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
The dependence has been measured for the spontaneous radiation τ average life from the excitation level (non-equilibrium charge ΔN carriers concentration) on particularly clear optically homogeneous monocrystals. Results of the experiment confirm earlier theoretically predicted so-called Mott excito...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.21 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-577 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5772025-11-23T19:59:39Z The experimental proof of Mott exciton-plasma phase transition Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта Garkavenko, A. S. reflection digital measurement technique emitter multi-element photodetector image coordinate излучательная рекомбинация время жизни уровень возбуждения оптическая однородность The dependence has been measured for the spontaneous radiation τ average life from the excitation level (non-equilibrium charge ΔN carriers concentration) on particularly clear optically homogeneous monocrystals. Results of the experiment confirm earlier theoretically predicted so-called Mott exciton-plasma phase transition. It's also indicated by results for spectral research of excited crystals photoluminescent obtained in this work. На особо чистых оптически однородных монокристаллах CdS была измерена зависимость времени жизни спонтанного излучения τ от уровня возбуждения (концентрации неравновесных носителей заряда ΔN). В области низкого уровня накачки кривая зависимости τ(ΔN) описывается постоянной вплоть до ΔN=7·1017 см–3 и характеризует процесс излучательной рекомбинации свободных экситонов. При концентрации ΔN=7·1017 см–3 происходит резкий скачок, характерный для фазового перехода, и τ уменьшается практически в 1,5 раза, а затем монотонно падает с ростом ΔN. Результаты этого эксперимента подтверждают ранее предсказанный теоретически так называемый экситонно-плазменный фазовый переход Мотта. На это указывают также полученные в данной работе результаты спектральных исследований фотолюминесценции возбужденных кристаллов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-06-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.21 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 21-24 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 21-24 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.21/523 Copyright (c) 2010 Garkavenko A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-23T19:59:39Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
излучательная рекомбинация время жизни уровень возбуждения оптическая однородность |
| spellingShingle |
излучательная рекомбинация время жизни уровень возбуждения оптическая однородность Garkavenko, A. S. Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта |
| topic_facet |
reflection digital measurement technique emitter multi-element photodetector image coordinate излучательная рекомбинация время жизни уровень возбуждения оптическая однородность |
| format |
Article |
| author |
Garkavenko, A. S. |
| author_facet |
Garkavenko, A. S. |
| author_sort |
Garkavenko, A. S. |
| title |
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта |
| title_short |
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта |
| title_full |
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта |
| title_fullStr |
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта |
| title_full_unstemmed |
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта |
| title_sort |
экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода мотта |
| title_alt |
The experimental proof of Mott exciton-plasma phase transition |
| description |
The dependence has been measured for the spontaneous radiation τ average life from the excitation level (non-equilibrium charge ΔN carriers concentration) on particularly clear optically homogeneous monocrystals. Results of the experiment confirm earlier theoretically predicted so-called Mott exciton-plasma phase transition. It's also indicated by results for spectral research of excited crystals photoluminescent obtained in this work. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2010 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.21 |
| work_keys_str_mv |
AT garkavenkoas theexperimentalproofofmottexcitonplasmaphasetransition AT garkavenkoas éksperimentalʹnoedokazatelʹstvoéksitonnoplazmennogofazovogoperehodamotta AT garkavenkoas experimentalproofofmottexcitonplasmaphasetransition |
| first_indexed |
2025-12-02T15:19:17Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:19:17Z |
| _version_ |
1850410278549716992 |